一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法.pdf

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本发明提供一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法，涉及红外光源技术领域。该高性能低成本的MEMS红外光源，包括半导体衬底、支撑层、金属层、辐射层，所述半导体衬底位于最下方，且从下往上依次设置有支撑层、金属层、辐射层，所述半导体衬底内部设置有矩形空腔，所述支撑层完全覆盖于所述半导体衬底之上，并形成四边固支结构，所述加热层位于所述支撑层之上。本发明中，先采用干法将衬底刻蚀至剩余较薄厚度，此时硅各向异性倾斜角导致的尺寸增大相比于芯片毫米级的尺寸可忽略，因此芯片尺寸变化不大，同时相比单一的干法刻

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116374940 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310309908.X (22)申请日 2023.03.28 (71)申请人苏州司南传感科技有限公司地址