原创力文档- 3
- 0
- 约4.07万字
- 约 31页
- 2023-07-05 发布于四川
- 举报
公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD(VD)结构，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第一导电部、通孔到通孔轨与第一MD接触结构电耦合，其中，第二或第三MD接触
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809077 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110909267.2
(22)申请日 2021.08.09
(30)优先权数据
63/072,54
文档评论（0）