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一种具有n+调整区的双模式GCT及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种具有n+调整区的双模式GCT及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种具有n+调整区的双模式GCT，其特征在于：整个器件表面所有GCT单元和PIN二极管单元呈指条状按同心环排列均匀地分布在芯片上表面，并且GCT单元和PIN二极管单元按3﹕1的比例交叉分布，所述PIN二极管单元的p阳极区上表面中间位置设置有一个条形或多个圆形的n+调整区，p阳极区与两侧相邻GCT单元的p基区之间均采用pnp隔离区实现有效隔离。本发明还公开了上述具有n+调整区的双模式GCT的制备方法。本发明的BGCT不仅省去了对PIN二极管进行横向局部载流子寿命控制工艺，降低了工艺难度

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809166 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110914107.7 (22)申请日 2021.08.10 (71)申请人 西安理工大学 地址

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