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本发明公开了一种二维范德华异质结构光电探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107749433 A
(43)申请公布日
2018.03.02
(21)申请号 20171
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