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本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于氧化锌掺铝(AZO)薄膜的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器为叠层结构，包括依次排列的阻变层和衬底，其中所述阻变层上设置有顶电极：所述衬底设置有底电极；其中，所述衬底为p‑Si基片，所述阻变层为AZO薄膜。利用磁控溅射方法制备而成，其制备工艺简单，成本低。对其阻变特性进行测试，得到I‑V曲线，阻变存储器的开关性能良好，能达到两个数量级，高低阻态的阻值之比可以达到20，且在100次循环测试下仍保持良好的阻变特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793900 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111076668.0
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 广东工业大学
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