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二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法.pdf

    一种二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法，其中所述二氧化硅薄膜的形成方法，在半导体衬底上形成二氧化硅层后，对所述二氧化硅层进行氮化处理，将部分厚度的所述二氧化硅层转化为氮化硅和氮氧化硅的混合层；去除所述混合层，在所述半导体衬底上形成二氧化硅薄膜。通过前述特定步骤的结合使得最后剩余的二氧化硅薄膜的厚度是超薄的，并且形成的二氧化硅薄膜的厚度及厚度均匀性是可控的。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808939 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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