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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，通过在衬底表面种植晶种后再进行镀膜，晶种在镀膜过程中起诱导作用，解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下，耐腐蚀涂层晶格生长方向偏离衬底法线方向，涂层沉积不均匀，易脱落的缺陷，本发明方法形成的涂层晶格的生长方向与衬底表面的法线方向平行，具有高致密的特性，与衬底的结合力较强，降低了涂层的脱落风险。进一步地，还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜，得到
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113802094 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202010548393.5 C23C 14/08 (2006.01)
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