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半导体制冷片及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体制冷片及其制作方法.pdf

    本发明公开了半导体制冷片及其制作方法。方法包括：提供半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，且电偶对与导线电连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；形成封装结构，令封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽，令导线贯穿封装结构，并延伸至封装结构的外侧，以获得半导体制冷片。由此，获得的半

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809224 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010548662.8 (22)申请日 2020.06.16 (71)申请人 比亚迪股份有限公司 地

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