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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源极欧姆接触层，所述第一GaN层上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层，所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层之间的第一GaN层的上表面从下到上形成有第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层，所述源极欧姆接触层的上表面形成有源极，所述漏极欧姆接触层的上表面形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809173 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111087348.5
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 深圳市电科智能科技有限公司
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