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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开提供一种半导体结构，其包括用于增强金属‑电介质粘附性并防止金属扩散的自组装单层。所述半导体结构包括衬底及位于衬底上的第一介电层。接触结构嵌置在第一介电层中且包括导电线。所述半导体结构还包括位于导电线上的自组装单层以及位于第一介电层及导电线上的第二介电层。自组装单层化学接合到导电线及第二介电层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809045 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202011422801.9 (22)申请日 2020.12.08 (30)优先权数据

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