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半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置.pdf

    本申请提供一种半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置，该方法包括：获取晶圆经过不同量测站点的量测数据；将每一量测站点包括的多个量测数据输入至第一分类器中，以对多个量测站点进行筛选；将筛选之后的多个量测站点对应的多个量测数据输入至第二分类器和第三分类器中，而筛选出多个量测站点；将多个量测站点对应的量测数据分别输入至第一分类器，第二分类器和第三分类器，而筛选出多个目标传感器；根据第一分类器，第二分类器和第三分类器获得每一目标传感器组的得分，将得分最高的所述目标传感器组内的多个目标传感器定义为异

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113807441 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111095217.1 (22)申请日 2021.09.17 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司

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