原创力文档- 0
- 0
- 约2.32万字
- 约 32页
- 2023-07-05 发布于四川
- 举报
晶体管(105)形成在半导体衬底(100)上。所述晶体管包含：晶体管栅极(108)和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极(107)；晶体管源极触点(120)，其耦合到源极触点探针垫(128)；第一电介质层(110)，其覆盖所述半导体衬底和所述晶体管栅极；源极场板(122)，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；且所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分(109)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113811986 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202080035196.1 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
文档评论（0）