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2023-07-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809036 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110666803.0 (22)申请日 2021.06.16 (30)优先权数据 2020-1037