原创力文档- 1、本文档共25页，其中可免费阅读24页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的装置及方法。上述装置包含：包括第一嵌入电极与第二嵌入电极的第一导电层；包括第三嵌入电极的第二导电层；连接至第一嵌入电极的第一时变电压源；连接至第二嵌入电极的第二时变电压源，其中第一时变电压源与第二时变电压源使电荷被存储在第一导电层的第一嵌入电极、第二嵌入电极与第二导电层的第三嵌入电极之间；以及可操作地连接至第三嵌入电极的感测电路，感测电路用于：确定电荷的量；以及根据电荷的量确定第一导电层与第二导电层之间的未对准程度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113790750 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111113660.7
(22)申请日 2018.10.11
(30)优先权数据
文档评论（0）