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本发明公开一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质,涉及半导体测试领域。方法包括对DDR芯片进行兼容性测试,得到兼容性测试结果,兼容性测试包括电压测试和时序测试;对DDR芯片进行环境适用性测试,得到环境适用性测试结果,环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试;对DDR芯片进行模拟稳定性测试,得到模拟稳定性测试结果,模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试;根据兼容性测试结果、环境适用性测试结果、模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。本发明能对DDR芯片的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113835016 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111076619.7
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 深圳市金泰克半导体有限公司
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