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- 2023-07-06 发布于四川
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本申请实施例公开一种晶圆结构及制造方法,晶圆结构包括:基底、晶粒、切割道、测试元件组和第三测试元件,晶粒形成在基底中,切割道形成在基底中,并环绕晶粒;测试元件组设置在切割道中;测试元件组包括邻接的第一测试元件和第二测试元件,第一测试元件和/或第二测试元件上具有孔洞;第三测试元件设置在切割道中,且至少部分的第三测试元件设置在孔洞内。通过将第三测试元件设置在第一测试元件和/或第二测试元件上的孔洞内,在保证第一测试元件和第二测试元件邻接设置的基础上,还能够确保在测试元件组的区域内设置第三测试元件,这样
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838836 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111100978.1
(22)申请日 2021.09.18
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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