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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明提供了一种回收半导体剥离工艺废液中贵金属的装置，包括：围合形成过滤空腔的罩体，抵持于罩体内壁的第一阻隔板，第一阻隔板将过滤空腔隔离形成上下布置的初筛空腔以及沉淀空腔。沉淀空腔内包括与罩体底部竖直设置的挡板，挡板与罩体的底部共同围合形成呈水平布置且液位逐渐降低的沉淀槽，挡板的顶部向上凸伸设置第一滤网，第一阻隔板开设第一通孔。罩体开设用于向初筛空腔内注入待滤废液的注水口，用于排出所述沉淀空腔内过滤后废液的排水口；以及用于清理滤渣的清理窗口。通过本发明，实现了连续沉淀并清理滤渣，缩短了工艺流程，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113828058 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111061003.2
(22)申请日 2021.09.10
(71)申请人 智程半导体设备科技（昆山）有限公
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