光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上设有第一环形DN‑Well区，第一环形DN‑Well区中设有第一环形浅槽隔离区和环形N+注入区，第二环形浅槽隔离区位于第一环形DN‑Well区与环形P‑epi区的交界处；环形P‑epi区内设有环形P‑Well区和多晶硅环栅，第二DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中设有P+注入区；P+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阳极；N+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阴极；如

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838971 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202010584007.8 (22)申请日 2020.06.23 (71)申请人湖南师范大学地址