一种基于NPB/V2O5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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一种基于NPB/V2O5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法.pdf

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本发明属于有机半导体光电子技术领域，涉及有机光电传感器，具体为一种基于NPB/V2O5缓冲层的有机光电传感器及其制备方法；用以解决现有有机光电传感器中因V2O5能级变化产生的诸多问题。本发明采用V2O5层作为空穴传输主体层，并在空穴传输主体层与活性层之间设置NPB层作为空穴传输修饰层；有效改善了各功能层之间的界面接触，能够有效降低界面的接触电阻，使得能级匹配更加合理；优化了器件整体的能级排列，提升了光生载流子解离后在金属阳极的收集效率，抑制了外加偏压时载流子的反向注入，提高了器件整体性能；同时，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838983 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202110986273.8 C23C 14/08 (2006.01)