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本发明的实施例公开了一种集成型光电探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底以及形成于衬底之上的缓冲层、重掺杂N型欧姆接触层、重掺杂N型半导体、半导体吸光层、重掺杂P型半导体、重掺杂P型欧姆接触层以及P电极。本申请的集成型光电探测器结构工艺简单，易于光子芯片单片集成；通过采用浅台面刻蚀能够降低侧壁漏电，进而降低器件暗电流；通过采用背面挖孔电极结构提高响应度特性和热传导效率，进而提高器件最大功率，具有广泛的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838940 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202110954453.8
(22)申请日 2021.08.19
(71)申请人 北京无线电测量研究所
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