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具有栅间介质区的分离栅MOS器件及制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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具有栅间介质区的分离栅MOS器件及制造方法.pdf

    本发明提供一种具有栅间介质区的分离栅MOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第一导电类型第二外延层、第一导电类型第三外延层、第二导电类型阱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、第一分离栅槽、第二分离栅槽、分离栅隔离介质层、控制栅隔离介质层、栅间介质区、分离栅、源极金属孔。本发明具有第一分离栅和第二分离栅之间的栅间介质区和含SiN层的沟槽内介质层，栅间介质区可为具有第一导电类型重掺杂的硅层、具有PN条交替的结构、High‑K材料；沟槽侧壁为引入SiN的复合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838924 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111115135.9 (22)申请日 2021.09.23 (71)申请人 电子

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