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一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底.pdf

    本发明提供了一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底。所述方法包括：在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，在所述GaAs缓冲层上沉积Ga原子层，在所述Ga原子层上外延生长界面失配位错阵列IMF，在所述界面失配位错阵列IMF上外延生长GaSb外延层。减少穿透位错的产生，简化外延生长过程，提高了生长效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823551 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 20201

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