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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明的半导体装置，包含：半导体层；在所述半导体层中划分第1导电型的源极区域的栅极沟槽；所述源极区域的下部的第2导电型的沟道区域；贯通所述源极区域及所述沟道区域的源极沟槽；所述源极沟槽的底部及侧部的第2导电型的杂质区域；所述半导体层上的源极电极；以及具有比所述杂质区域高的浓度的第2导电型的高浓度杂质区域，其在所述半导体层的表面具有与所述源极电极连接的接触部，并且贯通所述源极区域而延伸到比所述源极区域深的位置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838912 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111106857.8 H01L 29/10 (2006.01)
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