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一种纳米抗指纹防眩膜及其制备工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种纳米抗指纹防眩膜及其制备工艺.pdf

    本发明公开了一种纳米抗指纹防眩膜及其制备工艺，本申请选择引入磁性二氧化硅，通过分散剂对磁性二氧化硅进行分散改进，得到磁性填料，分散剂为吐温‑20，吐温‑20的端羟基可以与二氧化硅表面的羟基键合，并通过氢键吸附，以提高磁性二氧化硅的分散性能，得到分散性优异的磁性填料。本申请公开了一种纳米抗指纹防眩膜及其制备工艺，工艺设计合理，操作简单，制备得到的防眩膜不仅具有优异的防眩性能，同时表面疏水，防污防指纹性能优异，通过采用不同粒径的磁性填料进行定向排列，制备得到的防眩膜的耐磨性能优异，实用性较高。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113831569 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202111051543.2 C08J 7/046 (2020.01)

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