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本发明提供了一种半导体器件的量测方法，包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底和位于衬底上的半导体结构；依据半导体结构的参考标记设定，在图像处理软件中生成一个标记图；利用聚焦离子束在半导体结构上依据标记图同时生成多个实体标记；利用透射电子显微镜获取半导体结构的TEM图像，并根据多个实体标记，对半导体结构进行尺寸量测，通过该方法能自动快速标记半导体结构，以节省人力时间和降低成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113820578 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202111073814.4
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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