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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种LED外延及其制造方法，在图形化衬底上制备氮化物缓冲层，并在氮化物缓冲层上生成N型氮化镓层；基于N型氮化镓层交替生成电子阻挡层和量子阱层，得到最底层和最上层均为电子阻挡层的复合式量子阱层；基于复合式量子阱层生成P型氮化镓层，得到LED外延；因此通过在量子阱之间添加电子阻挡层，能够改变每一量子阱层的位错方向，从而减少量子阱层的位错密度；并且能够减少N型氮化镓的电子和P型氮化镓的空穴溢流的情况，减少电子和空穴的无效复合，从而提高电子空穴复合效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838954 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111085277.5 H01L 33/00 (2010.01)
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