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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种功率器件及制备方法,功率器件包括:衬底;外延叠层结构,所述外延叠层结构包括依次叠置的第一外延层、第二外延层及第三外延层;所述第一外延层位于所述衬底的表面;沟槽晶体管,所述沟槽晶体管包括栅极沟槽及栅极结构,所述栅极沟槽位于所述外延叠层结构内;栅极结构,位于所述栅极沟槽内;其中,所述栅极沟槽的深度与所述第三外延层的厚度一致。第三外延层的电阻率变化不会影响耗尽层物理状态,即,反压保持不变,本申请提出的功率器件中保障反压不变的前提下,调低第三外延层的电阻率,从而降低导通电阻,提升能量雪崩
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838910 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202110975597.1
(22)申请日 2021.08.24
(71)申请人 深圳
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