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一些实施例包含一种形成布置的方法。形成第一层以包含CMOS电路系统。形成第二层以包含组合件,所述组合件具有耦合区的相对侧上的第一组存储器单元及第二组存储器单元。支撑材料邻近于所述第一组所述存储器单元及所述第二组所述存储器单元,且中介材料邻近于所述支撑材料。所述支撑材料具有不同于所述中介材料的组合物。导电互连件延伸穿过所述中介材料。抛光所述组合件的上表面以减小所述组合件的总高度。所述支撑材料在所述抛光期间提供支撑以保护所述存储器单元在所述抛光期间免受侵蚀。所述第二层的所述导电互连件与所述第一层的所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113841249 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202080034265.7 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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