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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明提供了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题；其在衬底的背面形成与沟道结构相对的第一通孔，以第一通孔为刻蚀通道对沟道结构进行刻蚀，以使沟道层朝向衬底的一端凸出所述功能层；在第一通孔内形成与沟道结构接触的半导体柱塞，从而沟道层通过半导体柱塞与衬底接触并形成电连接。本发明提供的三维存储器的制作方法及三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838863 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111106900.0 H01L 27/11582 (2017.01)
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