用于3D逻辑和存储器的同轴接触件.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体器件包括同轴接触件,该同轴接触件具有导电层,这些导电层从局部互连延伸并且耦合到金属层。这些局部互连堆叠在衬底上方,并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些金属层堆叠在这些局部互连上方,并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些导电层是封闭形状的并且同心地布置,其中,这些局部互连中的每一个耦合到对应导电层,并且这些导电层中的每一个耦合到对应金属层。该半导体器件还包括绝缘层,这些绝缘层是封闭形状的、同心地布置、并且相对于这些导电层交替地定位,使得这些导电层通过这些绝缘层彼此间隔开。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113874997 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080037926.1 坎达巴拉 ·塔皮利  (22)申请日 2020.

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