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无成核的钨沉积.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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无成核的钨沉积.pdf

    本文提供了在不沉积成核层的情况下沉积钨(W)膜的方法。在某些实施方案中，该方法包括在衬底上沉积硼(B)和/或硅(Si)的共形还原剂层。衬底通常包括待用钨填充的特征，其中还原剂层与包括该特征的衬底的形貌共形。然后将还原剂层暴露于含氟钨前体，该前体被还原剂层还原以形成元素钨层。共形还原剂层转化为共形钨层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113874545 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080037670.4 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263

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