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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法，涉及缺陷检测技术，在晶圆的检测区域或者切割道区域设置并列设置的第一检测结构和第二检测结构，每一检测结构包括P型有源区、位于P型有源区上的检测栅极结构和接触孔、位于检测栅极结构的两端部的栅极接触孔、连接位于P型有源区上的接触孔的金属线以及连接栅极接触孔的金属线，并第一检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线至少部分重叠，第二检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线无重叠区域，可检测并锁定晶圆上第一层金属与下层栅极之间因物理接触而短接的缺陷，缩
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871311 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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