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- 2023-07-07 发布于四川
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薄膜晶体管(101)具有:活性层(7),被基板(1)支承,且包括第一区域(7S)、第二区域(7D)和位于第一区域与第二区域之间的沟道区域(7C);栅电极(11),其以隔着栅极绝缘层(9)与活性层(7)的至少沟道区域重叠的方式配置;源电极(15s),其与第一区域(7S)电连接;以及漏电极(15d),其与第二区域(7D)电连接,活性层(7)的至少沟道区域(7C)具有层叠构造,该层叠构造含:配置在下部氧化物半导体层(71)上且实质上不含氧的第一金属层(m1)以及配置在第一金属层(m1)上的上部氧化物半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113875022 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 201980096774.X (51)Int.Cl.
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