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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质.pdf

    本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。通过适当地抑制因在处理容器内形成的膜而产生粒子，从而延长清洁周期、提高成膜处理的生产率。重复进行多次包含下述工序的组：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)向处理容器内由支承件支承的衬底供给成膜气体，进行在衬底上形成氮化膜的处理的工序；(c)将处理后的衬底从处理容器内搬出的工序；(d)向将处理后的衬底搬出后的处理容器内供给氧化气体，将(b)中在处理容器内形成的氮化膜的一部分氧化并转化为氧化膜，并使该氮化膜的与该一部分不同的其

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871288 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110650847.4 C23C 16/455 (2006.01)

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