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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域。本发明涉及一种发光二极管芯片包括:半导体外延叠层,具有相对的第一表面和第二表面,包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的发光层;第一接触电极和第二接触电极,位于所述半导体外延叠层的第一表面之上,分别与所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层电连接;所述第一接触电极包括第一接触电极的欧姆接触层以及位于所述第一接触电极的欧姆接触层之上的第一电极阻挡层;所述第二接触电极包括第二接触电极的欧姆接触层以及位于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113851567 B
(45)授权公告日 2022.04.12
(21)申请号 202111416529.8 H01L 33/38 (2010.01)
(22)申请日
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