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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及一种位置灵敏的硅光电倍增探测器，该硅光电倍增探测器包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在硅外延片上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻；正面电极，其位于探测器主体正面的表面，所述正面电极包括环绕所述APD阵列的金属条以及设置于金属条的多个特定位置的、与金属条连接的多个金属引出电极，所述金属条和多个金属引出电极形成封闭的金属电极结构，每个引出电极用于独立输出信号；背面电极，其位于探测器主体背面硅衬底的外侧；所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，正面电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871405 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010608650.X
(22)申请日 2020.06.30
(71)申请人 北京师范大学
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