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一种芯片的制造方法、冗余金属的填充方法和芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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一种芯片的制造方法、冗余金属的填充方法和芯片.pdf

    一种芯片的制造方法、冗余金属的填充方法、芯片和计算机可读存储介质，在金属层的电感器件(11)的外部一根或多根条形冗余金属(12)，进一步地，条形冗余金属(12)与电感器件(11)的线圈方向不平行，进一步地，条形冗余金属(12)与电感器件(11)的线圈方向垂直。相比传统针对电感器件区域的冗余金属填充技术，本发明能够有效提高电感的品质因数。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113853674 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202180003222.7 (74)专利代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有

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