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钨特征填充.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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钨特征填充.pdf

    本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113862634 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110914064.2 C23C 16/06 (2006.01)

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