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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层，所述有源层包括出光区；位于部分所述有源层背向所述半导体衬底层一侧的第一半导体掺杂层，所述第一半导体掺杂层中具有贯穿所述第一半导体掺杂层的开口，所述开口与所述出光区相对设置；位于所述第一半导体掺杂层背向所述有源层一侧表面的第一电极。所述半导体器件的出光效率提高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113839307 B
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202111416792.7 (74)专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理
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