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- 2023-07-07 发布于四川
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本文公开了用于过电流保护的耗尽型MOSFET。该电路的特征在于连接到电阻性元件的耗尽型MOSFET，优选地正温度系数(PTC)器件，以使得PTC器件上的电压与MOSFET的栅极到源极电压相同的方式进行配置。该电路还可以使用TVS二极管来配置，用于在过电流事件期间箝位MOSFET的漏极到源极电压。MOSFET和PTC器件之间的热传递有助于过电流保护。包括耗尽型MOSFET、PTC器件和TVS二极管的两端子器件可以向其他电路提供过电流保护。包括设置在PTC的两侧上的两个MOSFET的双向电路c也被设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113872168 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110736426.3
(22)申请日 2021.06.30
(30)优先权数据
16/916,68
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