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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及晶体管器件结构，涉及半导体集成电路技术，在包括核心器件和输入输出器件的晶体管器件，由场氧化层在半导体衬底上隔离出核心器件区域的有源区和输入输出器件区域的有源区，在核心器件区域的有源区内形成栅极环绕的栅极结构，在输入输出器件区域的有源区内形成的鳍式栅极结构，如此可改善核心器件的短沟道效应，且输入输出器件的鳍式栅极结构的栅介质层的厚度不受栅极环绕的栅极结构的沟道线体之间的间距的影响，而使得在改善核心器件的短沟道效应的基础上输入输出器件的导通电流和关断电流性能不受影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871384 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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