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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明提供一种用在光刻工艺的识别方法与半导体元件。所述方法包括在半导体衬底上形成掩膜层，再图案化所述掩膜层，以在所述元件区内形成密集线图案，并在元件区与周边区的界面区域形成假密集线图案，其中第一条与第三条假密集线图案之间设有至少一连接部，且第二条假密集线图案在连接部不连续并与连接部相隔开。在半导体衬底上形成覆盖周边区的光刻胶层，并根据光刻胶层的边缘至最接近的假密集线图案的距离以及连接部的宽度来判定所述光刻胶层的着陆位置是否正确。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871290 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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