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包括钝化层的发光二极管前体.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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包括钝化层的发光二极管前体.pdf

    本发明提供了发光二极管(LED)前体。LED前体包括基底(10)、包括多个III族‑氮化物层的LED结构(30)和钝化层(40)。LED结构包括p‑型半导体层(36)、n‑型半导体层(32)和位于p‑型半导体层和n‑型半导体层之间的有源层(34)。多个III族‑氮化物层中的每一个包括结晶III族‑氮化物。LED结构具有在与III族‑氮化物层的(0001)晶面垂直的面中延伸的侧壁(37)。钝化层设置在LED结构的侧壁上，使得钝化层覆盖有源层。钝化层包括带隙高于有源层的带隙的结晶III族‑氮化物。将

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875030 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080038367.6 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限

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