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本发明公开了一种基于原子层沉积技术的铝掺杂氧化钛薄膜及其制备方法，该方法将原硅片进行RCA标准工艺清洗；将硅片放入ALD腔室中，基底温度150℃，腔室抽真空；ALD腔室通入三甲基铝，开阀时间16ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3；向腔室通入四（二甲胺基）钛，开阀时间180ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3和5层TiO2薄膜。本发明利用ALD技术，将Al引入TiO2薄膜中，这种薄膜同时具有优
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871493 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111083954.X H01L 21/02 (2006.01)
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