相变存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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相变存储器及其制造方法.pdf

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本发明提供一种相变存储器及其制造方法，采用选择性工艺在选通层的侧壁上形成侧壁阻挡层，能增强选通层与相邻相变存储单元之间的间隙中的线性阻挡层、间隙填充层等膜层之间的粘附性，阻挡选通层中的元素向外扩散以及阻挡外部的元素向选通层中扩散，进而改善器件性能。进一步地，当选用等离子体表面处理工艺来作为所述选择性工艺时，一方面能使得选通层中相应的元素损失和/或改变，例如使得选通层所形成的选通管的边缘材料的能带间隙Eg增大，进而使得该选通管的导电丝更靠近器件中心，有利于改善器件的工作性能一致性，另一方面能通过等

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871530 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111323680.7 (22)申请日 2021.11.08 (71)申请人长江先进存储产业创新中心有限责