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本实用新型涉及一种半导体硅片晶圆真空退火装置，包括箱体、设置在箱体内部的安装板、设置在箱体内部的退火腔、可升降的隔离罩、可升降的退火炉和放置架，退火炉可脱离地罩设于隔离罩外侧，隔离罩与安装板之间形成退火腔，放置架放置于退火腔中；退火炉包括可独立控制的第一热补偿段、核心加热段、第二热补偿段，核心加热段与放置架位置相对应，安装板上开设有给退火腔抽真空的抽气孔；核心加热段提供的温度达不到目标温度或难以维持在目标温度时，第一热补偿段和/或第二热补偿段提供额外温度补偿，还可以在预热时与核心加热段一起加热，
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219315148 U
(45)授权公告日 2023.07.07
(21)申请号 202320734123.2
(22)申请日 2023.04.06
(73)专利权人 江苏微艾诺智能装备集团有限公
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