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光刻曝光工艺的方法.pdfVIP

光刻曝光工艺的方法.pdf

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    一种光刻曝光工艺的方法。此方法包括以激光光束激化目标液滴，以产生极紫外线(EUV)光。此方法还包括以聚光器反射极紫外线光。此方法亦包括经由安置在聚光器旁的气体分配器排放清洁气体至聚光器上。在清洁气体离开气体分配器之前，一部分的清洁气体被转化为自由基，且自由基与清洁气体一起被排放至聚光器上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109814341 A (43)申请公布日 2019.05.28 (21)申请号 20181

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