低温磁控溅射ITO透明导电薄膜及制备方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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低温磁控溅射ITO透明导电薄膜及制备方法.pdf

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本发明涉及透明导电薄膜技术领域，具体涉及一种低温磁控溅射ITO透明导电薄膜及制备方法。本发明的制备的ITO透明导电薄膜包含In、O、Sn三种元素，薄膜厚度为80‑100nm，薄膜成分为In2O3和SnO2的微晶结构，薄膜中In2O3摩尔含量为85％‑95％，SnO2摩尔含量为5％‑15％，制备ITO薄膜的工艺温度低于100℃，而且可以室温溅射；通过本发明制备的ITO薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于5nm，兼顾了高透过率和低电阻率；依据本发明方法制备的ITO薄膜材料及其制备工艺方法与有机

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116397195 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310476452.6 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人电子科技大学地址 611731