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- 2023-07-08 发布于四川
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本发明提供了一种碳化硅生长装置及工艺方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅生长装置包括加热组件、第一坩埚和第二坩埚。加热组件包括沿上下方向设置的第一加热部和第二加热部；所述第一加热部内部形成第一加热空间，所述第二加热部内部形成第二加热空间。第一坩埚设置在所述第一加热空间内部。第二坩埚连接于所述第一坩埚顶部，且设置于所述第二加热空间内部。本发明提供的碳化硅生长工艺方法应用于上述的碳化硅生长装置。本发明提供的碳化硅生长装置及碳化硅生长工艺方法能改善现有技术中碳化硅晶体生长效率不高的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116397321 A
(43)申请公布日 2023.07.07
(21)申请号 202310531307.3
(22)申请日 2023.05.11
(71)申请人 通威微电子有限公司
地址 610
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