一种可调零电位差半金属晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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一种可调零电位差半金属晶体管及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种可调零电位差半金属晶体管及其制作方法，属于集成电路领域，得到一种高载流子迁移率和高开关电压比的半金属晶体管，能够实现在不同温度环境下，用极低的工作电流驱动工作，达到低功耗的目标；采用半金属材料石墨烯制作成半金属晶体管，通过调控石墨烯的空间结构，来改变半金属晶体管中电流的空间分布，用极低的工作驱动电流（100nA），实现半金属晶体管器件的端口电位差从零微伏到百微伏的电位差信号变化，其室温开关电压比可以达到103且保持8000cm‑2/Vs的高电子迁移率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404036 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310224328.0 (22)申请日 2023.03.09 (71)申请人南京航空航天大学